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Las obleas SIMOX (Separación por oxÃgeno implantado) son sustratos de silicio avanzados que se utilizan en la producción de dispositivos semiconductores. Son conocidos por su alta calidad y confiabilidad, lo que los hace ideales para diversas aplicaciones en la industria electrónica.
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Las obleas SIMOX se crean implantando altas dosis de iones de oxÃgeno en un sustrato de silicio y luego calentándolo a alrededor de 1300 grados. Esto hace que los iones de oxÃgeno migren, dejando una fina capa de dióxido de silicio (SiO2) entre el sustrato de silicio y una capa más gruesa de silicio monocristalino. La oblea SIMOX resultante consta de una capa de silicio monocristalino de alta calidad sobre una capa fina y uniforme de SiO2, que sirve como capa aislante.
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Una de las principales ventajas de las obleas SIMOX es su capacidad para minimizar la capacitancia parásita, lo que resulta en una mejor velocidad del circuito y un menor consumo de energÃa. También ofrecen un excelente aislamiento entre dispositivos, lo que permite una mayor densidad de integración y una reducción de la diafonÃa. Además, las obleas SIMOX tienen una alta resistencia a la radiación ionizante, lo que las hace adecuadas para su uso en entornos hostiles.
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